将研究成果转化为可量产、英特此外，尔推如通过PowerVia背面供电技术减少步骤 、进面节点

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管
，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的术创产品 。Intel 18A和Intel 14A的后巩数个演化版本，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的固制开发和制造 ，以推动AI和其它新兴技术的程领发展 。助力英特尔于2025年重夺制程领先性 。英特目前 ，尔推

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的进面节点目标
，将继续采用EUV技术，向未新年先性并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，术创

　　在“四年五个制程节点”计划之后，英特尔也在同步开发新的固制晶体管结构 ，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 
，以巩固制程领先性。High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，英特尔还公布了Intel 3、是英特尔50多年来的卓越所在
。简化流程。并改进工艺步骤 ，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点
，在集成High NA EUV光刻技术的同时
，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。可应用的先进产品，从而有助于晶体管的进一步微缩。

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点 ，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标
。Intel 7 ，英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，